●Advanced Process Technology
●Ultra Low On-Resistance
●Dynamic dv/dt Rating
●175 degree Operating Temperature
●Fast Switching
●Fully Avalanche Rated
●Lead-Free
Leírás
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
A TO-220 csomag univerzálisan előnyös minden kereskedelmi-ipari alkalmazáshoz körülbelül 50 wattig terjedő teljesítménydisszipciónál. A TO-220 alacsony hőellenállása és alacsony csomagolási költsége hozzájárul a széles körű elfogadottságához az egész iparágban.
Népszerű tags: irf540npbf, Kína, beszállítók, gyártók, nagykereskedelem, raktáron
