-
KLMAG1JETD-B041Több
A Samsung KLMAG1JETD-B041 egy 32 GB-os eMMC 5.1 beágyazott flash tárolóeszköz, amely nagy teljesítményű NAND Flash-t és fejlett eMMC-vezérlőt integrál egy kompakt BGA-csomagba.
-
KLM4G1FETE-B041Több
A Samsung KLM4G1FETE-B041 egy 4 GB-os eMMC 5.1 beágyazott flash memóriaeszköz, amelyet kompakt, alacsony-teljesítményű, nagy{7}}megbízhatóságú tárolási alkalmazásokhoz terveztek. A NAND Flash-t és a
-
K4B4G1646E-BMMATöbb
A Samsung K4B4G1646E-BMMA egy 4 Gb-os DDR3 SDRAM-eszköz, amelyet nagy-sebességű, alacsony fogyasztású-memória-alkalmazásokhoz optimalizáltak. X16-os adatszélességet biztosít, és széles körben
-
H9HCNNNBKUMLXR-NEETöbb
Az SK hynix H9HCNNNBKUMLXR-NEE egy integrált uMCP (UFS + LPDDR4X MCP) memóriaeszköz, amely a nagy-teljesítményű UFS flash tárolót alacsony-teljesítményű LPDDR4X DRAM-mal ötvözi egyetlen kompakt BGA
-
K4F6E3S4HM-THCLTöbb
A Samsung K4F6E3S4HM-THCL egy 24 Gb-os LPDDR4 SDRAM-eszköz, amelyet nagy-teljesítményű, alacsony fogyasztású mobil- és beágyazott alkalmazásokhoz terveztek. Nagy sávszélességet, jobb
-
MT53E512M32D1NP-046Több
A Micron MT53E512M32D1NP-046 egy 16 Gb-os LPDDR4X (alacsony fogyasztású DDR4X) SDRAM-eszköz, amelyet nagy -teljesítményű és energiahatékony{12}alkalmazásokra optimalizáltak. 32 bites I/O-val, nagy
-
MT53D512M32D2DS-053Több
A Micron MT53D512M32D2DS{7}}053 egy 16 Gb-os LPDDR5 SDRAM-eszköz, amelyet nagy-teljesítményű, alacsony fogyasztású{10}}alkalmazásokhoz terveztek. Megnövelt sávszélességet, csökkentett
-
TM-002-M-01Több
TM-002-M-01
-
TM-001-D1-01Több
TM-001-D1-01
-
DSHP01TS-STöbb
DSHP01TS-S




